越來越多發(fā)表的科學(xué)文獻(xiàn)證明了QSense^®技術(shù)的可靠性。

該技術(shù)的核心是石英晶體在負(fù)載電壓下以一個(gè)特定頻率振蕩。當(dāng)晶體表面上的質(zhì)量發(fā)生改變時(shí)，晶體的振蕩共振頻率也會隨之變化。通過這種方法，可以在納克級靈敏度上測定界面質(zhì)量和結(jié)構(gòu)變化。該方法可實(shí)時(shí)、無需標(biāo)記地測量任何可形成薄膜的材料表面。

QSense^®可以測量質(zhì)量變化，還可以同時(shí)測量耗散因子，從而提供薄膜的結(jié)構(gòu)和粘彈性信息。它可以提供諸如吸附膜的分子厚度、結(jié)構(gòu)、含水量等信息。此外還可以檢測反應(yīng)前、進(jìn)行中和結(jié)束后的表面吸附層的變化。 

金屬、聚合物、化學(xué)改性表面，只要能在芯片表面上鋪展成薄膜的材料，都可以成為我們的定制芯片涂層。